Samsung's 9de generatie tlc-nandgeheugen
Bron: artikel integraal overgenomen van Tweakers
Origineel auteur: Andrei Stiru
Samsung is begonnen met de massaproductie van zijn negende generatie tlc-nandgeheugen. Volgens het bedrijf ligt de bitdichtheid van deze generatie zo’n 50 procent hoger dan bij de achtste generatie.
Samsungs negende generatie 3d-nandgeheugenchips hebben volgens de fabrikant ieder een capaciteit van 1Tbit, wat neerkomt op 128GB per chip. De geheugenmodules halen daarnaast i/o-snelheden van 3,2Gbit/s, oftewel 400MB/s. Dat is volgens Samsung 33 procent sneller dan de achtste generatie 3d-nandgeheugen van het bedrijf. Tegelijkertijd gebruikt het nieuwe nandgeheugen volgens de fabrikant 10 procent minder energie.
De hogere bitdichtheid wordt volgens Samsung mogelijk gemaakt door technologieën die interferentie tussen cellen vermijden en de levensduur van cellen verlengen, maar de fabrikant gaat niet verder in op de technische details daarvan. Samsung verwijdert daarnaast overbodige kanaalgaten zodat het geheugenoppervlak efficiënter wordt benut, zo claimt de fabrikant.
Samsung zegt niet hoeveel lagen het nieuwe V9-nandgeheugen heeft. Uit berichtgeving van The Korea Economic Daily eerder in april blijkt dat het geheugen mogelijk 290 lagen telt. Daarvoor gingen geruchten rond dat Samsung dit jaar nandgeheugen met meer dan 300 lagen zou introduceren, hoewel de fabrikant dat zelf nooit heeft bevestigd. Het bedrijf zei eerder wel dat tegen 2030 nandgeheugen van 'meer dan 1000 lagen' wil produceren.
Meer lagen bij de productie van nandgeheugen verhogen doorgaans de dichtheid van het geheugen, wat betekent dat er meer gegevens kunnen worden opgeslagen zonder dat de fysieke afmetingen van de geheugenchip zelf toenemen. Ook de productiekosten per terabyte dalen normaliter naarmate het aantal lagen toeneemt.
